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Chinaplas 2023:Ultramid® Advanced N 为绝缘栅双极晶体管(IGBT)半导体量身定制,实现出色的电力电子性能

2023年03月20日08:54 来源:无

巴斯夫研发的 PPA 材料兼具优异的热稳定性、低吸水性、卓越的绝缘性和高 CTI

●可实现电气元件高效和可靠的电源管理,是用于电动汽车、可再生能源生产和智能制造领域的理想材料

●巴斯夫将参加 2023 年中国国际塑料橡胶工业展览会(CHINAPLAS):中国深圳国际会展中心 17 号展厅,17F71 号展位

为电力电子设备提供智能技术和轻量化的塑料部件,巴斯夫现在推出一种聚二甲酰胺(PPA),尤其适合制造绝缘栅双极晶体管(IGBT)的外壳。可激光打标的Ultramid® Advanced N3U41 G6 LS 是一种无卤阻燃化合物,同时具备优异的热稳定性、低吸水性以及出色的电气性能。它的特点是,相对漏电起痕指数(CTI)超过 600V,与迄今为止用于IGBT的材料相比,Ultramid® Advanced N3U41 G6 LS 的爬电距离更低,绝缘性能更好,从而有助于IGBT实现轻量化和小型化。

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由于其优异的耐化学性和尺寸稳定性,Ultramid® Advanced N 产品可提升电动汽车、高速铁路、太阳能和风能以及智能制造领域IGBT的强度、长期性能和可靠性,满足了客户对日益增长的节能、减重和轻便化的需求。

绝缘栅双极晶体管在大功率电路中起到快速高效开关的作用。IGBT 可以组装成模块,实现更高电压、更大电流以及结构更紧凑的电气应用。在严苛条件下,材料必须具有优异的电绝缘性、阻燃性、尺寸稳定性以及长期耐热防潮性:Ultramid® Advanced N 经过优化,可以耐受更高的温度和更大的电流,同时保持其机械强度,因此足以应对这些挑战。它可保护半导体免受机械以及环境影响,如水气、灰尘和污垢等。

经UL 认证,Ultramid® Advanced N具备优异的电气 RTI(相对热指数)值,高达150°C。此外,它不含卤素等腐蚀性成分,因此可避免接触腐蚀风险。在IGBT的生产工艺方面,巴斯夫PPA可与金属组件一起注射成型,并与半导体封装材料具备良好的相容性。


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